Установка для выращивания монокристаллов лейкосапфира методом Киропулоса
Установка для выращивания монокристаллов лейкосапфира методом Киропулоса
Цену уточняйте
В наличии
Описание
Назначение: Предназначена для производства в автоматическом режиме (кроме затравления) монокристаллов лейкосапфира массой до 30 кг методом Киропулоса. Микроэлектроника
Оптоэлектроника
Оветодиоды, медицина
R-axis, A-axis конфигурации
2,4,5,6,8-дюймовые цилиндры
Оптимизированная программа нарезки цилиндров
Высокая скорость роста кристалла- 83kg буль- за 15 дней
Мы достигли 55% использования 83 кг буля для раскроя годных заготовок 2” и 6” дюймовых цилиндров
Общая длина для 2” заготовок 5345мм
Годовой общий валовый выпуск 2” цилиндров ( TIE) может достигать 100 000 мм)
Наименование параметра Значение
Вес выращиваемого кристалла, кг до 85
Параметры тигля, мм:
наружный диаметр
высота
400
250
Материал тигля вольфрам
Способ нагрева
резистивный
Материал нагревателя вольфрам
Рабочее давление в камере, мм рт.ст. 5х10-5
Мощность, потребляемая при выращивании кристалла, кВт, не более (управление мощностью в соответствии с программой) 45
Расход охлаждающей воды, м3/ч, не более
3
Давление охлаждающей воды, Мпа 0,3
Расход воздуха давлением 0,3 МПа, м3/цикл 0,01
Габаритные размеры, мм 3200х2200х2050
Приводная система:
-рабочий ход штока затравки, мм 250
-рабочая скорость перемещения затравки, мм/ч 0,1 - 10
-частота вращения затравки, об/мин 0,1 - 20
-погрешность поддержания рабочей скорости перемещения и частоты вращения затравки, %
±1
Параметры электропитания:
напряжение, В
частота, Гц 3х (380±38) +N
50±0,4
Оптоэлектроника
Оветодиоды, медицина
R-axis, A-axis конфигурации
2,4,5,6,8-дюймовые цилиндры
Оптимизированная программа нарезки цилиндров
Высокая скорость роста кристалла- 83kg буль- за 15 дней
Мы достигли 55% использования 83 кг буля для раскроя годных заготовок 2” и 6” дюймовых цилиндров
Общая длина для 2” заготовок 5345мм
Годовой общий валовый выпуск 2” цилиндров ( TIE) может достигать 100 000 мм)
Наименование параметра Значение
Вес выращиваемого кристалла, кг до 85
Параметры тигля, мм:
наружный диаметр
высота
400
250
Материал тигля вольфрам
Способ нагрева
резистивный
Материал нагревателя вольфрам
Рабочее давление в камере, мм рт.ст. 5х10-5
Мощность, потребляемая при выращивании кристалла, кВт, не более (управление мощностью в соответствии с программой) 45
Расход охлаждающей воды, м3/ч, не более
3
Давление охлаждающей воды, Мпа 0,3
Расход воздуха давлением 0,3 МПа, м3/цикл 0,01
Габаритные размеры, мм 3200х2200х2050
Приводная система:
-рабочий ход штока затравки, мм 250
-рабочая скорость перемещения затравки, мм/ч 0,1 - 10
-частота вращения затравки, об/мин 0,1 - 20
-погрешность поддержания рабочей скорости перемещения и частоты вращения затравки, %
±1
Параметры электропитания:
напряжение, В
частота, Гц 3х (380±38) +N
50±0,4
В компании «Строительное оборудование» Вы можете приобрести товары высокого качества. Уточняйте любую информацию по телефону 8 (800) 775-28-06.
Покупателям
Условия возврата и обмена